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硅光技术则融合了微电子和光子的优势，开辟芯赛道，近年来热度不减，数通、电信为重要应用领域。从产业链角度来看，硅光技术参与厂商众多、产业链已初具雏形。从应用场景来看，硅光技术在100/400/800G中短距应用优势明显；同时，硅光集成芯片规模商用有望使相干技术降低成本，基于硅光技术的相干光模块在400G时代以ZR/ZR+为主要应用；800G ZR/ER1/LR/LR1标准即将发布，硅光相干技术有望下沉至10km/40km应用场景。

薄膜铌酸锂继承了铌酸锂晶体优异的光电特性，并具有与半导体微纳加工工艺兼容的优势，成为实现小型化、高带宽、低损耗、高集成度调制器的热门技术方案。吴冰冰指出，新型薄膜铌酸锂调制器具备支持超300GBaud潜力，未来有望在400G速率超长距、800G及以上速率相干光模块领域等获得市场认可。

大容量方面，包括频谱扩展、新型光纤、波长级调度、纤芯级调度等技术都可以提升光通信系统容量，但从底层技术来看，这都需要光电子芯片器件的创新。具体来看，频谱扩展标准制定和应用试点积极推进，芯片器件已趋于成熟；新型光纤领域，配套光电子芯片器件尚存在大量未解决的关键问题，需开展深入研究；全光交换领域，全光交换器件支撑大颗粒业务调度能力，除通信外，全光交换器件或在智算中心网络、空间光子学、量子信息等领域得到更广泛应用。

未来发展趋势：新工艺、新方案、新应用

在谈到未来发展趋势时，吴冰冰用新工艺、新方案、新应用进行了概括。

新工艺方面，随着集成度和性能要求不断提高，光电器件呈现出从传统的单材料平面集成电路向三维集成和异质集成演进的趋势。

新方案方面，CPO无疑是当前最火热的话题。CPO的引入，大幅提升了带宽密度和能量效率，光引擎靠近主机ASIC，大幅减少高速电通道损耗和阻抗不连续性，相较于可插拔带宽密度提升一个数量级，能量效率优化40%以上。根据Yole预计，2032年CPO市场将达到22亿美元；在规模部署进程中将伴随产业模式转型，CPO将需要新的合作模式和战略伙伴关系。

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